Dynamic RAM este un tip de memorie care stocheaza fiecare bit de informatie intr-un condensator separat integrat intr-un tranzistor. Avand in vedere proprietatea condensatorilor de a se descarca atunci cand nu sunt alimentati, informatia se pierde incet-incet daca condensatorul nu este improspatat periodic(asa numitul DRAM refresh). Datorita necesitatii de refresh, DRAM este un tip dinamic de memorie RAM, spre deosebire de SRAM alaturi de alte memorii de tip static.
Avantajul sau asupra SRAM este structura foarte simpla: numai un tranzistor si un condensator sunt necesare pentru a stoca un bit de informatie, in comparatie cu cele 6 tranzistoare per bit necesare pentru SRAM. Aceasta simplitate ii permite memoriei DRAM sa obtina o densitate ridicata obtinand deasemenea un cost de productie mai mic. Desi mai scumpa de produs, memoria SRAM, ofera performanta crescuta gasindu-si astfel utilizarea in dispozitivele in care viteza este un factor esential(cache-ul integrat in procesoare si buffere). La fel ca SRAM, este un tip de memorie volatila, pentru ca isi pierde informatia o data cu oprirea sursei de curent. Diferenta este ca la DRAM este posibila o recuperare a datelor stocate daca durata in care sursa de curent a fost oprita nu este foarte mare.
Memoria DRAM este de obicei organizata sub forma unei matrice a cate un condensator si un tranzistor pe celula. Practic informatiile sunt scrise in memorie consecutiv pe locatiile din matrice de la stanga la dreapta si de sus in jos. Atunci cand utilizatorul solicita informatii stocate anterior, se va realiza cautarea liniilor si respectiv coloanelor pe care se gasesc, urmand a fi returnate catre utilizator. Timpii de asteptare necesari la scriere si respectiv la citire sunt asa numitele latente de care toti am auzit la un moment dat. Acestea difera in functie de operatie efectuata (scriere sau citire), dar si de localizarea informatiei in memorie, adica pozitionarea informatiei in cadrul matricei.
Astfel latentele principale sunt:
CAS(Column Adress Strobe) controleaza intarzierea din momentul in care se primeste o comanda pana in momentul in care se citeste respectiva comanda. Setarile acestei latente depind de arhitectura memoriilor(DDR1, DDR2, etc), CAS fiind latenta cu cel mai mare impact asupra performantei memoriei. Performanta in plus obtinuta prin setarea unei latente mai mici se explica prin numarul mai mic de cicluri necesar pana in momentul in care adresa informatiei cerute de utilizator este gasita pe coloanele matricei.
RAS(Row Adress Strobe) identic cu CAS, singura diferenta constand in cautarea pe rand a informatiei cerute de utilizator.
tRCD(time RAS to CAS Delay) specifica intarzierea(in perioade de ceas) datorata trecerii de la parcurgerea liniilor la parcurgerea coloanelor.
tRP indica cat de rapid se face citirea unui rand si trecerea la altul.
